Высоковольтные транзисторы CoolGaN™ от Infineon для источников питания

IGT60R070D1 – это транзисторы семейства CoolGaN от Infineon с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия. Новая технология CoolGaN обеспечивает высокую эффективность, максимальную надежность и необходимую плотность мощности конечного продукта.

Транзисторы IGT60R070D1 являются нормально закрытыми и работают аналогично обычным кремниевым MOSFET при применении драйверов, учитывающих специфику управления затворами GaN HEMT.

Серия CoolGaN обеспечивает КПД системы до 98 % и имеют высокий показатель качества FOM (Rds(on) x Qg), что дает конкурентные преимущества разрабатываемым устройствам.

Транзисторы можно использовать в топологиях с жесткой и мягкой коммутацией, например для корректоров коэффициента мощности с функциями выпрямителя, в высокоскоростных резонансных преобразователях (рис. 1).

Особенности IGT60R070D1:

  • Нормально закрытые GaN-транзисторы с улучшенной структурой работающие в режиме обогащения;
  • Ультрабыстрое переключение;
  • Нет заряда обратного восстановления;
  • Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд;
  • Высокая надежность коммутации;
  • Отлично подходит для жестких и мягких топологий коммутации;
  • Корпус для поверхностного монтажа позволяет достичь максимальных результатов для технологии CoolGaN;
  • Простота использования с доступным ассортиментом драйверов;
  • Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (JESD47 и JESD22).

Технические характеристики IGT60R070D1:

  • Напряжение исток-сток VDS, max: 600 В;
  • Максимальный ток стока ID: 31 А (25 °С);
  • Максимальный импульсный ток стока ID,pulse: 60 А;
  • Сопротивление открытого транзистора, макс RDS(on), max: 70 мОм;
  • Полный заряд затвора, QG, typ: 5,8 нКл;
  • Выходной заряд Qoss: 41 нКл (400 В);
  • Заряд восстановления диода Qrr: 0

Рисунок 1. Пример применения CoolGaN-транзисторов

Производители: Infineon

Разделы: Полевые транзисторы